日本川崎--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出两款车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。这两款产品采用Toshiba的新型S-TOGL™ （小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装和U-MOS IX-H制程芯片。产品于今日开始量产出货。 本新闻稿包含多媒体。此处查看新闻稿全文： https://www.businesswire.com/news/home/20230816179901/zh-CN/ 自动驾驶系统等安全关键（safety-critical）应用通过冗余设计来确保可靠性，因此与标准系统相比，其集成的器件数量更多，需要的贴装空间更大。因此，随着车载设备尺寸的不断缩小，需要能够以高电流密度贴装功率MOSFET。 XPJR6604PB和XPJ1R004PB采用了Toshiba的新型S-TOGL™封装（7.0mm×8.44mm[1]），利用无接线柱结构将源极连接件和外部引脚一体化。源极引脚采用多针结构，从而降低了封装电阻。 通过将S-TOGL™封装与Toshiba的U-MOS IX-H工艺结合，与Toshiba的TO-220SM (W)封装产品相比，导通电阻大幅下降了11%[2]，同时保持了相同的热阻特征。此外与TO-220SM (W)封装相比，新封装需要的贴装面积也减少了大约55%。除此之外，新封装的漏极额定电流为200A，高于类似大小的Toshiba DPAK +封装（6.5mm×9.5mm[1]），从而提供大工作电流。总之，S-TOGL™封装不仅实现了高密度和紧凑的布局，降低了车载设备的大小，同时也有利于实现高散热。 由于车载设备可能在极端温度环境中使用，表面贴装焊点的可靠性是一个需要考虑的关键因素。S-TOGL™封装采用的鸥翼式引脚可降低贴装应力，提高焊点可靠性。 当需要并联多个器件为应用提供更大工作电流时，Toshiba支持这两款新品分组出货[3]，即按栅极阈值电压对产品分组。这样可以确保设计使用同一组别的产品，从而减少特性偏差。 Toshiba将不断扩展其功率半导体产品的阵容，以对用户更友好的高性能功率器件，促进碳中和目标的实现。 应用 - 车载设备：变频器、半导体继电器、负载开关、电机驱动器等
特性 - 新型S-TOGL™ 封装：7.0mm×8.44mm（典型值）
- 大额定漏极电流：
XPJR6604PB: ID=200A
XPJ1R004PB: ID=160A - AEC-Q101认证
- 可提供IATF 16949/PPAP[4]
- 低导通电阻：
XPJR6604PB: RDS(ON)=0.53m（典型值）(VGS=10V)
XPJ1R004PB: RDS(ON)=0.8m（典型值）(VGS=10V) 注： [1] 典型封装尺寸，含引脚。
[2] 采用TO-220SM(W)封装的TKR74F04PB。
[3] Toshiba提供分组出货，每卷产品的栅极阈值电压浮动范围为0.4V，但是不允许指定特定组别。请联系Toshiba销售代表了解更多详情。
[4] 请联系Toshiba销售代表了解更多详情。 主要规格 | | 新产品 | 当前产品 | | 器件型号 | XPJR6604PB | XPJ1R004PB | TKR74F04PB | TK1R4S04PB | | 极性 | N沟道 | | 系列 | U-MOS IX-H | | 封装 | 名称 | S-TOGL™ | TO-220SM(W) | DPAK+ | | 尺寸(mm) | 典型值 | 7.0×8.44, t=2.3 | 10.0×13.0, t=3.5 | 6.5×9.5, t=2.3 | | 绝对最大额定值 | 漏极-源极电压DSS(V) | 40 | | 漏极电流(DC) ID(A) | 200 | 160 | 250 | 120 | | 漏极电流（脉冲）IDP(A) | 600 | 480 | 750 | 240 | | 沟道温度Tch(°C) | 175 | | 电气特性 | 漏极-源极导通电阻 RDS(ON)(mΩ) | VGS=10V | 最大值 | 0.66 | 1.0 | 0.74 | 1.35 | | 沟道到外壳热阻 Zth(ch-c)(°C/W) | Tc=25°C | 最大值 | 0.4 | 0.67 | 0.4 | 0.83 | 如需了解关于新产品的更多信息，请点击以下链接。 XPJR6604PB
XPJ1R004PB 如需了解关于Toshiba车载MOSFET的更多信息，请点击以下链接。
车载MOSFET * S-TOGL™是Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation的商标。
* 其他公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
* 本文中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息在公告之日有效，但如有变更，恕不另行通知。 关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是一家领先的先进半导体和存储解决方案供应商，依托半个多世纪的经验与创新优势，为客户和业务合作伙伴提供杰出的半导体分立器件、系统LSI和HDD产品。
公司在全球拥有21,500名员工，以实现产品价值最大化为己任，与客户紧密合作，共同创造价值、开拓新市场。Toshiba Electronic Devices & Storage Corporaion年销售收入近8000亿日元（61亿美元），立志为全人类创造更加美好的未来。
有关更多信息，请访问https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html 免责声明：本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用，烦请参照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。 在 businesswire.com 上查看源版本新闻稿: https://www.businesswire.com/news/home/20230816179901/zh-CN/ CONTACT: 客户垂询：
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Toshiba：采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对高散热和小尺寸的需求。（图示：美国商业资讯） |
