村田開始量產市面首款1210吋（3.2×2.5mm）尺寸、額定電壓1.25kV、具備C0G特性的15nF多層片式陶瓷電容器

主要特點
在1210吋（3.2×2.5mm）尺寸、額定電壓1.25kV且具備C0G特性的前提下，實現了15nF特大電容量的多層片式陶瓷電容器。
1.25kV高耐壓，適配SiC MOSFET。
C0G特性帶來低損耗與穩定的電容值。

日本京都--(美國商業資訊)--株式會社村田製作所(TOKYO: 6981)（以下簡稱「村田」）初次開發⁽¹⁾並開始量產了1210吋（3.2×2.5mm）尺寸、額定電壓1.25kV、具備C0G特性的、15nF電容量的多層片式陶瓷電容器（以下簡稱「本產品」）。該產品可用於車載充電器（OBC）⁽²⁾及高效能民用電子裝置的電源電路，有助於實現高效率的電力變換，並在高電壓條件下穩定運行。

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(1) 由村田調查得出。截至2025年12月1日。

(2) 車載充電器（OBC）：安裝於電動汽車（EV）上，從外部電源為車載電池充電的裝置。

在電動汽車搭載的車載充電器以及民用裝置的電源電路中，通常會包含用於高效電力變換的諧振電路，以及用於遏制電流、電壓峰值的緩衝（吸收）電路。由於這兩類電路中高電壓與大電流反復作用，元件效能的輕微變化就可能導致效率下降、裝置發熱，進而可能引發工作異常或故障。因此，市場亟需具備在溫度變化下效能穩定、損耗低且能承受高電壓的電容器。
近年來，電源電路中的開關元件⁽³⁾正從Si MOSFET⁽⁴⁾向能夠實現更高效率與高速開關的SiC MOSFET轉移。SiC MOSFET⁽⁵⁾通常要求1.2kV的耐壓規格，因此對額定電壓高於該水準的電容器需求在增加。

(3) 開關元件：以高速對電流進行通斷控制，實現電壓與頻率變換的半導體元件。

(4) Si MOSFET：採用矽半導體的電力控制用開關元件。多用於低至中耐壓場景。

(5) SiC MOSFET：採用碳化矽的高耐壓、高效率電力控制用開關元件。多用於超過1.2kV的場景。

為此，村田透過特有的陶瓷素體與內部電極薄層化技術，首次在1210吋尺寸實現了額定電壓1.25kV、具備C0G特性、電容量為15nF的本產品，並已開始量產。借助C0G特性的低損耗及電容隨溫度變化的穩定性，本產品適用於諧振電路與緩衝（吸收）電路。
今後，村田將繼續推進多層片式陶瓷電容器的小型化、電容值擴充以及額定電壓的提高，擴充產品陣容以滿足市場需求，從而協助電子裝置的小型化、高效能化與多功能化。同時，村田將透過在MLCC製造過程中更有效地利用天然資源、減少廢棄物並推進循環利用等措施，以降低環境負荷。

主要特點

在1210吋（3.2×2.5mm）尺寸、額定電壓1.25kV且具備C0G特性的前提下，實現了特大15nF電容量的多層片式陶瓷電容器。
1.25kV高耐壓，適配SiC MOSFET。
C0G特性帶來低損耗與穩定的電容值。

主要規格

晶片尺寸程式碼（吋/公釐）	1210吋（3.2×2.5mm）
溫度特性（對應標準）	EIA
溫度特性	C0G
工作溫度	-55~125℃
電容值	4.7~15nF
電容容差	±1~±5%
額定電壓（DC）	1,250Vdc